Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Homoepitaxie — vienalytė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. homoepitaxy vok. Homoepitaxie, f rus. гомоэпитаксия, f pranc. homoépitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Epitaxie — Epi|ta|xie 〈f. 19〉 Bildung von Kristallen eines Stoffes auf einer kristallinen Unterlage des gleichen od. eines anderen Stoffes mit weitgehend ähnlichem Kristallgitter [<grch. epi „auf, darüber“ + Taxie] * * * E|pi|ta|xie [↑ epi (5) u. ↑… … Universal-Lexikon
homoepitaxy — vienalytė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. homoepitaxy vok. Homoepitaxie, f rus. гомоэпитаксия, f pranc. homoépitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
vienalytė epitaksija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. homoepitaxy vok. Homoepitaxie, f rus. гомоэпитаксия, f pranc. homoépitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
гомоэпитаксия — vienalytė epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. homoepitaxy vok. Homoepitaxie, f rus. гомоэпитаксия, f pranc. homoépitaxie, f … Radioelektronikos terminų žodynas
Allotaxie — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um … Deutsch Wikipedia
II-VI-Halbleiter — Als II VI Verbindungshalbleiter oder kurz II VI Halbleiter bezeichnet man Verbindungshalbleiter, die aus Elementen der 2. Hauptgruppe (Erdalkalimetalle) bzw. Gruppe 12 Elementen und Elementen der 6. Hauptgruppe (Chalkogene) bestehen. II VI… … Deutsch Wikipedia
II-VI-Verbindungshalbleiter — Als II VI Verbindungshalbleiter oder kurz II VI Halbleiter bezeichnet man Verbindungshalbleiter, die aus Elementen der 2. Hauptgruppe (Erdalkalimetalle) bzw. Gruppe 12 Elementen und Elementen der 6. Hauptgruppe (Chalkogene) bestehen. II VI… … Deutsch Wikipedia
Molekularstrahlepitaxie — (englisch molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um Kristalline dünne Schichten (bzw. Schichtsysteme) herzustellen. Das Verfahren wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet, unter anderem um Einkristalline Strukturen [1]… … Deutsch Wikipedia
OMBE — Molekularstrahlepitaxie (engl. molecular beam epitaxy, MBE) ist ein PVD Verfahren, um dünne kristalline Schichten herzustellen. Der Begriff Molekularstrahlepitaxie wird vor allem in der Halbleitertechnik verwendet; das Verfahren wird angewandt um … Deutsch Wikipedia
